一、碳化硅晶体结构
碳化硅由碳原子和硅原子组成，密度是3.2g/cm3,在自然环境中，碳化硅是非常罕见的矿物，现在使用的主要是通过人工合成。半导体领域使用做多的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。
二、碳化硅基本性质
碳化硅的硬度高达9.2-9.3，其硬度高，可以用于切割红宝石；导热率非常优良，是SI的3倍、GaAs的8-10倍，热稳定性高，常压下不可能被熔化；碳化硅具有宽禁带、耐击穿的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍。
三、碳化硅材料的发展历程
1824年，当时的瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的实验中意外发现了碳化硅这一物质。但因为碳化硅在自然界存量极少，没能引起足够的关注。
1885年，另一位化学家Acheson在石英砂与碳的混合加热过程中，高温生成了SiC晶体，这也是人类历史上首次制备纯净的碳化硅。
1959年，一位荷兰科学家提出了一种通过升华的方式让单晶体生长的方法，随后又在1978年被俄罗斯科学家进行了改良和优化。
1979年，以碳化硅为主要材料的蓝色发光二极管被发明了出来。
直到现在，在后续的研发和应用过程中，碳化硅以各种形态和应用方式在电子信息存储、传输和数据通讯等相关行业内发挥了巨大的作用，凭借其稳定的化学特性和优秀的半导体材料特质，在半导体材料领域获得了极大的发展空间。
四、碳化硅半导体的优势
碳化硅的材料性能有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、存在高速二维电子气、击穿场强高。器件性能耐高温、开关速度快、通态电阻低、耐高压。
五、碳化硅半导体产业链
碳化硅半导体产业链主要包括“碳化硅高纯粉料→单晶衬底→外延片→功率器件→模块封装→终端应用”等环节。
六、碳化硅宽禁带半导体目前存在问题
1、大尺寸SiC单晶衬底制备技术仍不成熟。
2、n型SiC外延生长技术有待进一步提高。
3、SiC功率器件的市场优势尚未完全形成，尚不能撼动目前硅功率半导体在市场上的主导地位。
4、SiC功率器件的驱动技术尚不成熟。
5、SiC器件的应用模型尚不能全面反映SiC器件的物理特性。一般只适合于对精度要求较低的常规工业场合。
